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芯片共晶主要指金硅、金锗、金锡等共晶焊接。金的熔点为1063℃，硅的熔点为1414℃，但金硅合金的熔点远低于单质的金和硅。从二元系相图中可以看到，含有31%的硅原子和69%的金原子的Au-Si共熔体共晶点温度为370℃。这个共晶点是选择合适的焊接温度和对焊接深度进行控制的主要依据。金硅共晶焊接法就是芯片在一定的压力下(附以摩擦或超声)，当温度高于共晶温度时，金硅合金融化成液态的Au-Si共熔体。冷却后，当温度低于共晶温度时，共熔体由液相变为以晶粒形式互相结合的机械混合物——金硅共熔晶体而全部凝固，从而形成了牢固的欧姆接触焊接面。金属合金焊接还包括“软焊料”焊接（如95Pb/5Sn,92.5Pb/5In/2.5Ag），由于其机械强度相对较小，在半导体器件芯片焊接中不太常用。
