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主要用途
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。
由于本机有特殊的找平机构，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片、宝石片的曝光，而且也适用非圆形基片和小型基片的曝光。
工作方式
本机为一次性光刻曝光
主要技术指标
1、配置一件承片台（承片台具体尺寸可根据用户需求制造）
2、曝光头（采用高均匀性多点光源曝光头）
＊出射光斑≤230mm；350W（高压直流汞灯）
＊光的不均匀性在φ230mm范围内≤±8%；
＊实现真空密着条件下曝光。
＊光的强度可通过X、Y、Z进行调节，曝光时间，通过0.1~999.9秒时间继电器设定；
＊汞灯位置调节可通过精密的x、y、z调节装置调节，调节量为x向±5毫米、y向±5毫米、z向±5毫米；
＊具有风扇冷却装置。
3、分辨率≥2μm 。
4、具备真空吸片功能。
5、具有真空密着和反吹气的功能，通过调节密着真空的大小可以实现硬接触曝光（密着真空≤-0.05 Mpa）、软接触曝光(密着真空在-0.05Mpa～-0.02Mpa之间)和微力接触曝光（密着真空≥-0.02Mpa）。
