原子量：127.60
电负性：2.01
密度：6.25 g/cm3
熔点：452 ℃
沸点：1390 ℃ 价态：-2，+2，+4，+6
禁带宽度：0.35 eV 电子迁移率：1700 cm3/(v.s)
2、规格：
化学纯度：
高纯碲：Te-04 纯度99.99%以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅，锡杂质总含量小于100ppm；
高纯碲：Te-05 纯度99.999%以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅，锡杂质总含量小于10ppm；
超纯碲：Te-06 纯度99.9999%以上，银，钙，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅，锌杂质总含量小于1ppm；
超高纯碲：Te-07 纯度99.99999%以上，银，钙，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，锌杂质总含量小于0.1ppm。
3、物理性状：
块，锭，粉。
4、用途：
主要用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，太阳能电池，热电转换元件，致冷元件，气敏，热敏，压敏，光敏，压电晶体和核辐射探测，红外探测器等基础材料。
5、包装：
涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或玻璃管真空封装。
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